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Número de pieza del fabricante | BAS16TW-TP |
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Número de parte futuro | FT-BAS16TW-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS16TW-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 3 Independent |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 75V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 150mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16TW-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS16TW-TP-FT |
BAV170MYL
Nexperia USA Inc.
BAW56M,315
Nexperia USA Inc.
MBRF10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
1PS300/ZLX
NXP USA Inc.
1PS301/ZLX
NXP USA Inc.
BAT54CW/6/ZLX
NXP USA Inc.
1PS75SB45,115
NXP USA Inc.
1PS75SB45,135
NXP USA Inc.
BAV70T,115
NXP USA Inc.
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel