casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAS16T-TP
Número de pieza del fabricante | BAS16T-TP |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BAS16T-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS16T-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 85V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 75mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 50mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 75V |
Capacitancia a Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-523 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-523 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16T-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS16T-TP-FT |
GF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1B-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1GHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1AHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1K-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1DHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel