casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAS16D-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BAS16D-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BAS16D-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS16D-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 75V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 250mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 6ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
Capacitancia a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16D-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS16D-HE3-18-FT |
V20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel