
| Número de pieza del fabricante | BAS16-G |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-BAS16-G |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| BAS16-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 75V |
| Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
| Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tiempo de recuperación inverso (trr) | 6ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
| Capacitancia a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BAS16-G Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | BAS16-G-FT |

ES2CA-13
Diodes Incorporated

ES2DA-13
Diodes Incorporated

RS1A-13
Diodes Incorporated

RS1B-13
Diodes Incorporated

RS1D-13
Diodes Incorporated

RS1G-13
Diodes Incorporated

RS1J-13
Diodes Incorporated

RS1K-13
Diodes Incorporated

RS1M-13
Diodes Incorporated

RS2AA-13
Diodes Incorporated

LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation

XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.

APA600-PQG208I
Microsemi Corporation

EP1S10F484C5N
Intel

EP1S10F484C6
Intel

A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation

LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation

10AX090U3F45I2LG
Intel

5CGXFC4C6M13C7N
Intel

EP3C55F780C7
Intel