casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / BAS101S,215
Número de pieza del fabricante | BAS101S,215 |
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Número de parte futuro | FT-BAS101S,215 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS101S,215 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Series Connection |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 300V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 100mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 150nA @ 250V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS101S,215 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS101S,215-FT |
BAV756S,115
Nexperia USA Inc.
1PS88SB82,165
Nexperia USA Inc.
BAS70XY,115
Nexperia USA Inc.
BAT54XYH
Nexperia USA Inc.
1PS88SB82,115
Nexperia USA Inc.
BAS70-07S,115
Nexperia USA Inc.
BAS40XY,115
Nexperia USA Inc.
BAT74S,115
Nexperia USA Inc.
BAT754L,115
Nexperia USA Inc.
1PS88SB48,115
Nexperia USA Inc.
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel