casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAR9002ELE6327XTMA1
Número de pieza del fabricante | BAR9002ELE6327XTMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BAR9002ELE6327XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAR9002ELE6327XTMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 80V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 250mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | 2-XDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSLP-2-19 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR9002ELE6327XTMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAR9002ELE6327XTMA1-FT |
BAP63-03,115
NXP USA Inc.
BAP64-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.
BAP70-04W,115
NXP USA Inc.
BAP50-05W,115
NXP USA Inc.
BAP51-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,135
NXP USA Inc.
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
XCKU11P-2FFVE1517I
Xilinx Inc.
XCV200-5FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBI652-2X
Intel
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel