casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAR 90-099LRH E6327
Número de pieza del fabricante | BAR 90-099LRH E6327 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BAR 90-099LRH E6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAR 90-099LRH E6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | PIN - 2 Independent |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 80V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 250mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | 4-XFDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSLP-4-7 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR 90-099LRH E6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAR 90-099LRH E6327-FT |
BAP70-03,115
NXP USA Inc.
BAP50-03,115
NXP USA Inc.
BA591,135
NXP USA Inc.
BAP64-03,115
NXP USA Inc.
BAP65-03,115
NXP USA Inc.
BAP1321-03,115
NXP USA Inc.
BAP63-03,115
NXP USA Inc.
BAP64-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.
BAP70-04W,115
NXP USA Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F23A7N
Intel
EP4CE75F23C9L
Intel
5SGXEB6R2F40I2N
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
XA6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP3C120F780I7N
Intel
EPF10K50SBC356-1
Intel