casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAQ133-GS18
Número de pieza del fabricante | BAQ133-GS18 |
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Número de parte futuro | FT-BAQ133-GS18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAQ133-GS18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 100mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1nA @ 15V |
Capacitancia a Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-80 Variant |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-80 QuadroMELF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAQ133-GS18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAQ133-GS18-FT |
VS-60EPU06HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPH3006HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006-F3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel