casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BA89202VH6127XTSA1
Número de pieza del fabricante | BA89202VH6127XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BA89202VH6127XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BA89202VH6127XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de diodo | Standard - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 35V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 1.1pF @ 3V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 500 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | SC-79, SOD-523 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SC79-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA89202VH6127XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BA89202VH6127XTSA1-FT |
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
BAP142LX,315
NXP USA Inc.
BAP65LX,315
NXP USA Inc.
BAP63LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX/Z,315
NXP USA Inc.
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
EP3SE110F1152I3N
Intel
XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7N
Intel
10AX090N3F45I2LG
Intel
EP2AGX45DF29I5N
Intel
EP2C5Q208C7
Intel