casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BA783S-E3-08
Número de pieza del fabricante | BA783S-E3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BA783S-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BA783S-E3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 35V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 1.2pF @ 3V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA783S-E3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BA783S-E3-08-FT |
HSMS-2860-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2860-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2860-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2862-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2863-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2863-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2863-TR2G
Broadcom Limited
XC4005XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
10AX027H2F34I2LG
Intel
A54SX16A-2TQ100I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C5N
Intel
10AX016E3F27E2LG
Intel
EP1K10QC208-2
Intel