casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BA782-HE3-08
Número de pieza del fabricante | BA782-HE3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BA782-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BA782-HE3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 35V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 1.25pF @ 3V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 700 mOhm @ 3mA, 1GHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA782-HE3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BA782-HE3-08-FT |
HSMS-2812-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2813-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2813-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2813-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2814-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2814-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2814-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2820-BLKG
Broadcom Limited
LFEC1E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005-1FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG400
Microsemi Corporation
10AX048K4F35E3SG
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
APA150-TQG100A
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29I3
Intel