casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BA782-HE3-08
Número de pieza del fabricante | BA782-HE3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BA782-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BA782-HE3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 35V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 1.25pF @ 3V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 700 mOhm @ 3mA, 1GHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA782-HE3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BA782-HE3-08-FT |
HSMS-2812-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2813-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2813-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2813-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2814-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2814-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2814-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2820-BLKG
Broadcom Limited
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400E-6BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40I2N
Intel
5SGXEB6R1F40I2N
Intel
5SGXMA4K3F40C2N
Intel
10AX032H2F35E2SG
Intel
XA7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C6G
Intel