casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BA782-E3-18
Número de pieza del fabricante | BA782-E3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BA782-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BA782-E3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 35V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 1.25pF @ 3V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 700 mOhm @ 3mA, 1GHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA782-E3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BA782-E3-18-FT |
HSMS-2810-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2810-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2812-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2813-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2813-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2813-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2814-BLKG
Broadcom Limited
M2GL025TS-FCSG325
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M2GL010-1FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4S40G2F40I3N
Intel
5SGXEB6R3F43I3L
Intel
A40MX02-1PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C3
Intel