casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BA779-HG3-08
Número de pieza del fabricante | BA779-HG3-08 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BA779-HG3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BA779-HG3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 30V |
Actual - max | 50mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.5pF @ 0V, 100MHz |
Resistencia @ Si, F | 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA779-HG3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BA779-HG3-08-FT |
HSMS-2824-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2850-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2852-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2860-BLKG
Broadcom Limited
XA3S250E-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S400A-5FGG320C
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQ240
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DCF484C7G
Intel
5SGXMA3E1H29C1N
Intel
EP4SGX360FH29I3N
Intel
EP4SE530F43I4N
Intel
LFE3-17EA-7LMG328C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29C4N
Intel