casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BA779-2-HG3-18
Número de pieza del fabricante | BA779-2-HG3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BA779-2-HG3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BA779-2-HG3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - 1 Pair Series Connection |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 30V |
Actual - max | 50mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.5pF @ 0V, 100MHz |
Resistencia @ Si, F | 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA779-2-HG3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BA779-2-HG3-18-FT |
HSMS-2850-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2852-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2860-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2860-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2860-TR1G
Broadcom Limited
EX128-FTQ100
Microsemi Corporation
XC2V2000-4FG676I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C7
Intel
EPF10K100EFC484-1X
Intel
EP2C20F256I8N
Intel
5SGXEA7K2F40I3N
Intel
5SGXMA5N3F40C3N
Intel
EP4CGX22CF19C6N
Intel