casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BA479S-TR
Número de pieza del fabricante | BA479S-TR |
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Número de parte futuro | FT-BA479S-TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BA479S-TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 30V |
Actual - max | 50mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.5pF @ 0V, 100MHz |
Resistencia @ Si, F | 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA479S-TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BA479S-TR-FT |
HSMS-2822-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2823-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2823-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2823-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2824-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2824-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2824-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2850-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR1
Broadcom Limited
XC2S200-6FG456C
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40U484C8
Intel
5SGXMA7K3F40C4N
Intel
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
M1A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation