casa / productos / Resistencias / Resistencias de montaje en chasis / BA232010R0KE
Número de pieza del fabricante | BA232010R0KE |
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Número de parte futuro | FT-BA232010R0KE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BA |
BA232010R0KE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 Ohms |
Tolerancia | ±10% |
Potencia (vatios) | 700W |
Composición | Wirewound |
Coeficiente de temperatura | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 385°C |
Caracteristicas | - |
Revestimiento, tipo de vivienda | Aluminum |
Característica de montaje | Flanges |
Tamaño / Dimensión | 12.599" L x 3.429" W (320.00mm x 87.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.181" (30.00mm) |
Estilo de plomo | Wire Leads |
Paquete / Caja | Radial, Rectangular Case |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA232010R0KE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BA232010R0KE-FT |
AHP50AJB-100R
Yageo
AHP50AJB-10K
Yageo
AHP50AJB-10R
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AHP50AJB-12R
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AHP50AJB-130R
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AHP50AJB-13R
Yageo
AHP50AJB-150R
Yageo
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC3S50-4PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL050T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
EP4CE22F17I8LN
Intel
XC2V1000-6BGG575C
Xilinx Inc.
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3SE110F780I4L
Intel