casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / B5818WS-TP
Número de pieza del fabricante | B5818WS-TP |
---|---|
Número de parte futuro | FT-B5818WS-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B5818WS-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | 120pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B5818WS-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | B5818WS-TP-FT |
EGF1THE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1THE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1A/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1B/17A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1BHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1DHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1DHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1G-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1G/1754
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1GHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel