casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / B41858C3478M000
Número de pieza del fabricante | B41858C3478M000 |
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Número de parte futuro | FT-B41858C3478M000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | B41858 |
B41858C3478M000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 4700µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 10V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | 34 mOhm @ 10kHz |
Lifetime @ Temp. | 5000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | Automotive |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | - |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 2.381A @ 100kHz |
Impedancia | 31 mOhms |
Espaciamiento del plomo | 0.295" (7.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.709" Dia (18.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.866" (22.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B41858C3478M000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | B41858C3478M000-FT |
USP1V4R7MDD
Nichicon
USP1V4R7MDD1TE
Nichicon
USP1V4R7MDD1TP
Nichicon
USR0G331MDD1TE
Nichicon
USR0G471MDD1TE
Nichicon
USR0J331MDD1TE
Nichicon
USR1A221MDD1TE
Nichicon
USR1C221MDD1TE
Nichicon
USR1E101MDD1TE
Nichicon
USR1H330MDD1TE
Nichicon
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C8N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
LFX200B-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation