casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / B350A-M3/61T
Número de pieza del fabricante | B350A-M3/61T |
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Número de parte futuro | FT-B350A-M3/61T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B350A-M3/61T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 720mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 145pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B350A-M3/61T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | B350A-M3/61T-FT |
BYS10-35-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B330LA-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22A-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel