casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Arreglos / AZ23C36-HE3-18
Número de pieza del fabricante | AZ23C36-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-AZ23C36-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C36-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración | 1 Pair Common Anode |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 36V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 300mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 90 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 27V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C36-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AZ23C36-HE3-18-FT |
AZ23B7V5-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B7V5-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B7V5-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B7V5-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-12SE-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-2FG676C
Xilinx Inc.
XCV1000E-6FG900C
Xilinx Inc.
EP1K10FC256-2
Intel
EP2SGX90EF1152C4ES
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
XC4005XL-2PC84I
Xilinx Inc.
A40MX02-PQG100A
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation