casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Arreglos / AZ23B6V2-E3-08
Número de pieza del fabricante | AZ23B6V2-E3-08 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AZ23B6V2-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AZ23B6V2-E3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración | 1 Pair Common Anode |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 300mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 2V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B6V2-E3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AZ23B6V2-E3-08-FT |
AZ23B27-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B27-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B27-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-VQ80C
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5
Intel
EP4CE10F17C9L
Intel
5SGXEA7K2F40C1N
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
5SGSED8N3F45C2L
Intel
5SGXMA7H3F35C4N
Intel
XC7VX690T-1FFG1761C
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation