casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Arreglos / AZ23B4V7-HE3-08
Número de pieza del fabricante | AZ23B4V7-HE3-08 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AZ23B4V7-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23B4V7-HE3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración | 1 Pair Common Anode |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 300mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 78 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B4V7-HE3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AZ23B4V7-HE3-08-FT |
AZ23B20-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B20-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B20-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B20-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B20-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-PQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA7F27C7N
Intel
5SGXEA3K3F40I3L
Intel
5SEEBF45C2N
Intel
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
XC7K410T-1FF900I
Xilinx Inc.
EP4CE40F29C7
Intel