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Número de pieza del fabricante | AVS107M10C12B-F |
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Número de parte futuro | FT-AVS107M10C12B-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | AVS |
AVS107M10C12B-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Capacidad | 100µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 10V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | 5 Ohm @ 120Hz |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Aplicaciones | Automotive, Bypass, Decoupling |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 50mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 85mA @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | - |
Tamaño / Dimensión | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.213" (5.40mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | 0.209" L x 0.209" W (5.30mm x 5.30mm) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Radial, Can - SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AVS107M10C12B-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AVS107M10C12B-F-FT |
AVS227M16F24T-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
AVS227M35F24T-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
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Cornell Dubilier Electronics (CDE)
AVS337M10F24T-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
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XC6SLX45-2FGG484C
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M1A3P600-1PQG208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4CE6F17C7N
Intel
LFEC33E-4FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX125EF29I5N
Intel