casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AUIRLS3036
Número de pieza del fabricante | AUIRLS3036 |
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Número de parte futuro | FT-AUIRLS3036 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRLS3036 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 195A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 165A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11210pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 380W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRLS3036 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AUIRLS3036-FT |
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2SK3820-DL-E
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A1020B-2PQ100C
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Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
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EP3CLS70U484I7
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5SGSED6K2F40C3N
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EP4CE10E22C9L
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Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
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