casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AUIRFN8403TR
Número de pieza del fabricante | AUIRFN8403TR |
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Número de parte futuro | FT-AUIRFN8403TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRFN8403TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 95A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3174pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 4.3W (Ta), 94W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFN8403TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AUIRFN8403TR-FT |
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