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Infineon Technologies AUIRFN7110TR

Name: AUIRFN7110TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: AUIRFN7110TR
Availability: InStock
Rating: 4.8 (64 reviews)

Número de pieza de MFG: AUIRFN7110TR

Cantidad disponible: 13310 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® MOSFET NCH 100V 58A PQFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: AUIRFN7110TR.pdf

AUIRFN7110TR Presupuesto

Número de pieza del fabricante	AUIRFN7110TR
Número de parte futuro	FT-AUIRFN7110TR
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
AUIRFN7110TR Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	58A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3050pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	4.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRFN7110TR Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	AUIRFN7110TR-FT

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