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Infineon Technologies AUIRF2804WL

Número de pieza de MFG
AUIRF2804WL
Cantidad disponible
98960 Piezas
Precio de referencia
USD 3.057976
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-AUIRF2804WL
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
AUIRF2804WL Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 240A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 mOhm @ 187A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 225nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 7978pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262-3 Wide
Paquete / Caja TO-262-3 Wide Leads
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRF2804WL Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto AUIRF2804WL-FT

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