casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AUIRF1405ZS
Número de pieza del fabricante | AUIRF1405ZS |
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Número de parte futuro | FT-AUIRF1405ZS |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF1405ZS Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 150A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4780pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 230W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF1405ZS Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AUIRF1405ZS-FT |
IPB60R165CPATMA1
Infineon Technologies
IPB65R065C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB70N10S312ATMA1
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IPB80N06S2H5ATMA2
Infineon Technologies
IRFZ24SPBF
Vishay Siliconix
TK14G65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
AUIRFS8405
Infineon Technologies
IRLZ34SPBF
Vishay Siliconix
IRF520SPBF
Vishay Siliconix
SIHB35N60E-GE3
Vishay Siliconix
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel