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Infineon Technologies AUIRF1018E

Name: AUIRF1018E
Brand: Infineon Technologies
SKU: AUIRF1018E
Price: 1.015312 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (607 reviews)

Número de pieza de MFG: AUIRF1018E

Cantidad disponible: 52650 Piezas

Precio de referencia: USD 1.015312

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: AUIRF1018E.pdf

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AUIRF1018E Presupuesto

Número de pieza del fabricante	AUIRF1018E
Número de parte futuro	FT-AUIRF1018E
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
AUIRF1018E Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	79A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Vgs (Max)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2290pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRF1018E Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	AUIRF1018E-FT

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