casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AUIRF1010ZS
Número de pieza del fabricante | AUIRF1010ZS |
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Número de parte futuro | FT-AUIRF1010ZS |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF1010ZS Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2840pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 140W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF1010ZS Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AUIRF1010ZS-FT |
IPB100N04S204ATMA4
Infineon Technologies
IPB100N04S303ATMA1
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IPB100N06S205ATMA4
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IPB120N04S401ATMA1
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IPB123N10N3GATMA1
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IPB320N20N3GATMA1
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IPB60R099C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R125C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R165CPATMA1
Infineon Technologies
IPB65R065C7ATMA2
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel