casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / ATS605LSGTN-R-H-T
Número de pieza del fabricante | ATS605LSGTN-R-H-T |
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Número de parte futuro | FT-ATS605LSGTN-R-H-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ATS605LSGTN-R-H-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Función | Special Purpose |
Tecnología | Hall Effect |
Polarización | - |
Rango de detección | - |
Condición de prueba | - |
Suministro de voltaje | 4V ~ 24V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 13mA |
Corriente - Salida (Max) | 25mA |
Tipo de salida | Open Drain |
Caracteristicas | Temperature Compensated |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TA) |
Paquete / Caja | 4-SSIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-SIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ATS605LSGTN-R-H-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ATS605LSGTN-R-H-T-FT |
ATS137-PG-B-B
Diodes Incorporated
ATS137-PL-B-A
Diodes Incorporated
ATS137-PL-B-B
Diodes Incorporated
ATS177-PL-B-A
Diodes Incorporated
ATS177-PL-B-B
Diodes Incorporated
AH3563Q-P-B
Diodes Incorporated
AH3564Q-P-B
Diodes Incorporated
AH3562Q-P-B
Diodes Incorporated
AH3582-P-B
Diodes Incorporated
AH3574-P-B
Diodes Incorporated
A40MX02-1VQG80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
AFS600-FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256M
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SFE144C8G
Intel
A40MX02-PL44I
Microsemi Corporation
XC7K480T-L2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation