casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AT45DB041E-SSHN2B-T
Número de pieza del fabricante | AT45DB041E-SSHN2B-T |
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Número de parte futuro | FT-AT45DB041E-SSHN2B-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AT45DB041E-SSHN2B-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256 Bytes x 2048 pages) |
Frecuencia de reloj | 85MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8µs, 3ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT45DB041E-SSHN2B-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AT45DB041E-SSHN2B-T-FT |
AS4C64M8SC-7TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16SA-6TANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16SA-6TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16SA-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16SA-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098B-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098B-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
MT48LC64M8A2P-75:IT:CTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16S-6TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16S-6TAN
Alliance Memory, Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel