casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AT45DB021E-MHN-Y
Número de pieza del fabricante | AT45DB021E-MHN-Y |
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Número de parte futuro | FT-AT45DB021E-MHN-Y |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AT45DB021E-MHN-Y Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH |
Tamaño de la memoria | 2Mb (264 Bytes x 1024 pages) |
Frecuencia de reloj | 70MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8µs, 3ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-UDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-UDFN (5x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT45DB021E-MHN-Y Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AT45DB021E-MHN-Y-FT |
AT45DQ161-SHF2B-T
Adesto Technologies
AT45DQ161-SHFHB-T
Adesto Technologies
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AT25SF081-SHD-T
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LFXP3E-3TN144C
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XC2S15-5VQG100C
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M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel