casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AT25DF512C-MAHN-Y
Número de pieza del fabricante | AT25DF512C-MAHN-Y |
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Número de parte futuro | FT-AT25DF512C-MAHN-Y |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AT25DF512C-MAHN-Y Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 104MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8µs, 3.5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-UFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-UDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT25DF512C-MAHN-Y Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AT25DF512C-MAHN-Y-FT |
M24C16-FMH6TG
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XC4020XL-1HT144C
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EX64-TQ100A
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A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
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LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel