casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AT25128N1-10SI-2.7
Número de pieza del fabricante | AT25128N1-10SI-2.7 |
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Número de parte futuro | FT-AT25128N1-10SI-2.7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AT25128N1-10SI-2.7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frecuencia de reloj | 3MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 16-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT25128N1-10SI-2.7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AT25128N1-10SI-2.7-FT |
IDT6116LA45TPGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA15TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20TPI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25TPI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35TPG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35TPGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35TPI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel