casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AT25010AY6-10YH-1.8
Número de pieza del fabricante | AT25010AY6-10YH-1.8 |
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Número de parte futuro | FT-AT25010AY6-10YH-1.8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AT25010AY6-10YH-1.8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-UFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-Mini Map (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT25010AY6-10YH-1.8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AT25010AY6-10YH-1.8-FT |
IDT71V65802S100BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65802S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65802S133BG8
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IDT71V65802S150BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65802S150BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65802S150BGG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65802S150BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65802ZS133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65802ZS133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc