casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C8016A-55ZIN
Número de pieza del fabricante | AS6C8016A-55ZIN |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AS6C8016A-55ZIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C8016A-55ZIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8016A-55ZIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C8016A-55ZIN-FT |
AS4C256M16D3A-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3A-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3A-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3A-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3A-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3L-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3L-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3L-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3L-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3L-12BIN
Alliance Memory, Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel