casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C8016A-55ZINTR
Número de pieza del fabricante | AS6C8016A-55ZINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS6C8016A-55ZINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C8016A-55ZINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8016A-55ZINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C8016A-55ZINTR-FT |
AS4C256M16D3A-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3A-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3A-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3A-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3L-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3L-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3L-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3L-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3L-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3L-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel