casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C6264-55SIN
Número de pieza del fabricante | AS6C6264-55SIN |
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Número de parte futuro | FT-AS6C6264-55SIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C6264-55SIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C6264-55SIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C6264-55SIN-FT |
STK17TA8-RF45TR
Cypress Semiconductor Corp
AT27C4096-90PU
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AT27C1024-70PU
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AT27C1024-15PI
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AT27C1024-45PC
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AT27C1024-55PC
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A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel