casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C4008-55ZIN
Número de pieza del fabricante | AS6C4008-55ZIN |
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Número de parte futuro | FT-AS6C4008-55ZIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C4008-55ZIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C4008-55ZIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C4008-55ZIN-FT |
S25FL128SAGBHVA00
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPBHBC03
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPBHIC03
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPBHVC03
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDSBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDSBHV203
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHI203
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHI210
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHIY00
Cypress Semiconductor Corp
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel