casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C4008-55ZIN
Número de pieza del fabricante | AS6C4008-55ZIN |
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Número de parte futuro | FT-AS6C4008-55ZIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C4008-55ZIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C4008-55ZIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C4008-55ZIN-FT |
S25FL128SAGBHVA00
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPBHBC03
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPBHIC03
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPBHVC03
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDSBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDSBHV203
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHI203
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHI210
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHIY00
Cypress Semiconductor Corp
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel