casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C4008-55TIN
Número de pieza del fabricante | AS6C4008-55TIN |
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Número de parte futuro | FT-AS6C4008-55TIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C4008-55TIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C4008-55TIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C4008-55TIN-FT |
S25FL512SAGBHVA13
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SAGBHVC10
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SAGBHVC13
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHI313
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHIC10
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHIC13
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHV210
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHV213
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHVC10
Cypress Semiconductor Corp
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation