casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C2016-55BINTR
Número de pieza del fabricante | AS6C2016-55BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS6C2016-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C2016-55BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2016-55BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C2016-55BINTR-FT |
AT45DB011B-SI
Microchip Technology
AT45DB011B-SU
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AT45DB021B-SC
Microchip Technology
AT45DB021B-SI
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AT45DB021B-SU
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AT45DB021D-SH-B
Microchip Technology
AT45DB021D-SH-T
Microchip Technology
AT45DB041B-SC
Microchip Technology
AT45DB041B-SC-2.5
Microchip Technology
AT45DB041B-SI
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FG144I
Microsemi Corporation
AGL400V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC5VLX30-1FFG324CES
Xilinx Inc.
5AGXBB7D6F35C6N
Intel
EP1C12F324C6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel