casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C2016-55BINTR
Número de pieza del fabricante | AS6C2016-55BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS6C2016-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C2016-55BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2016-55BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C2016-55BINTR-FT |
AT45DB011B-SI
Microchip Technology
AT45DB011B-SU
Microchip Technology
AT45DB021B-SC
Microchip Technology
AT45DB021B-SI
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AT45DB021B-SU
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AT45DB021D-SH-B
Microchip Technology
AT45DB021D-SH-T
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AT45DB041B-SC
Microchip Technology
AT45DB041B-SC-2.5
Microchip Technology
AT45DB041B-SI
Microchip Technology
XC2V3000-5FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
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AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
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EP3SL70F484I3N
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5SGXMB9R3H43C3N
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XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation