casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C2008A-55TIN
Número de pieza del fabricante | AS6C2008A-55TIN |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AS6C2008A-55TIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C2008A-55TIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (256K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2008A-55TIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C2008A-55TIN-FT |
S25FS512SAGBHV213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHA210
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHA213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHB213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHM210
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSAGBHIC13
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSDPBHIC13
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSDPBHVC13
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel