casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C2008A-55BINTR
Número de pieza del fabricante | AS6C2008A-55BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS6C2008A-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C2008A-55BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (256K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 36-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 36-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2008A-55BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C2008A-55BINTR-FT |
7142SA25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation