casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C2008-55TINTR
Número de pieza del fabricante | AS6C2008-55TINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS6C2008-55TINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C2008-55TINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (256K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2008-55TINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C2008-55TINTR-FT |
S25FS512SAGBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGBHV213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHA210
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHA213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHB213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHM210
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSAGBHIC13
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSDPBHIC13
Cypress Semiconductor Corp
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel