casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C2008-55SIN
Número de pieza del fabricante | AS6C2008-55SIN |
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Número de parte futuro | FT-AS6C2008-55SIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C2008-55SIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (256K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2008-55SIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C2008-55SIN-FT |
AS4C8M16SA-6TAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SA-7BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SB-7TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SA-7TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6TAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M8SC-7TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-6TAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M4SA-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6TCN
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel