casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C2008-55SIN
Número de pieza del fabricante | AS6C2008-55SIN |
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Número de parte futuro | FT-AS6C2008-55SIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C2008-55SIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (256K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2008-55SIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C2008-55SIN-FT |
AS4C8M16SA-6TAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SA-7BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SB-7TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SA-7TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6TAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M8SC-7TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-6TAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M4SA-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6TCN
Alliance Memory, Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel