casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C1008-55TIN
Número de pieza del fabricante | AS6C1008-55TIN |
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Número de parte futuro | FT-AS6C1008-55TIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C1008-55TIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C1008-55TIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C1008-55TIN-FT |
S25FL512SAGBHVC13
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHI313
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHIC10
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHIC13
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHV210
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHV213
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHVC10
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHVC13
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDSBHI213
Cypress Semiconductor Corp
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel