casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C1008-55TINTR
Número de pieza del fabricante | AS6C1008-55TINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS6C1008-55TINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C1008-55TINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C1008-55TINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C1008-55TINTR-FT |
S25FS512SAGBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGBHM210
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGBHV213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHA210
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHA213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHB213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHM210
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHM213
Cypress Semiconductor Corp
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel