casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C1008-55PCN
Número de pieza del fabricante | AS6C1008-55PCN |
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Número de parte futuro | FT-AS6C1008-55PCN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C1008-55PCN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 32-DIP (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-PDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C1008-55PCN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C1008-55PCN-FT |
AS4C16M16SA-6TAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M4SA-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SC-7TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SA-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M8SA-6TIN
Alliance Memory, Inc.
MT48LC64M8A2P-75IT:C
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M8SA-7TCN
Alliance Memory, Inc.
MT48LC8M16A2TG-6A:L
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16SA-6TCN
Alliance Memory, Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel