casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / AS4PJ-M3/86A
Número de pieza del fabricante | AS4PJ-M3/86A |
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Número de parte futuro | FT-AS4PJ-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP® |
AS4PJ-M3/86A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2.4A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 962mV @ 2A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.8µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-277, 3-PowerDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-277A (SMPC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4PJ-M3/86A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4PJ-M3/86A-FT |
BAV20WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel